背照式(前照式背照式堆栈式)

大家好，我是讯享网，很高兴认识大家。

各大相机厂商最新相机的卖点之一就是背照式堆栈式传感器。

说这种传感器有多好。

那么什么是背照式堆叠传感器呢？

他比之前的传感器好在哪里？

今天老骚告诉大家~ ~

一般来说，传感器的结构分为五层:透镜层、滤色层、电路布线层、感光层和基板层。

的前照式结构和背照式结构的区别如下图所示。

前照式和背照式的主要区别在于电路层的位置。前照式在感光层上方，背照式在感光层下方。

如此小的顺序变化的结果如下

前照式传感器的光线需要穿过电路层才能到达感光层，所以因为电路层的遮挡，实际到达感光层的光线只有70%甚至更少。

而且由于电路层是金属材质，会有各种反射和杂散光干扰感光层。

相反，由于背照式传感器的电路层在感光层下方，光线可以直接照射到感光层上，没有电路层的遮挡和干扰，大大提高了传感器的效率。

最明显的变化就是低照度下成像质量会提升很多。

这么简单的改进，为什么不早点做呢？

其实这么小的变化，要求受光层的基板要非常薄，大约是传统传感器基板的百分之一，而且对制造工艺要求非常高，所以背照式传感器是近几年才出现的。

什么是非堆叠式和堆叠式传感器？

非堆叠传感器示意图

传统的传感器制造是在一个晶圆上刻蚀像素区域和电路，但是刻蚀的时候有一个问题。对于像素区域的制造工艺，可以使用65nm工艺。

但是对于处理电路面积来说，65nm工艺是不够的。如果它可以通过45纳米工艺制造，处理电路上的晶体管数量可以增加一倍。这样，可以更快地从像素开始处理图像，并且图像质量可以更好。

然而，因为蚀刻是在同一硅片上进行的，所以不可能使用两种工艺。

如果这两个区域是分开的，那么像素区域被放置在硅晶片上并通过65nm工艺制造；

处理电路放置在另一个硅片上，采用45纳米工艺制造；

把它们叠加在一起，这个矛盾就解决了。

这是堆叠式传感器。

堆叠传感器示意图

通过堆叠结构，我们可以在处理电路中获得更多的晶体管，并具有更快的速度。

因此，HDR升级等。以前不容易意识到的，现在非常普遍。

读取速度也变快，所以果冻效应更小。

此外，因为像素区域和处理电路区域被堆叠，所以像素区域可以被制造得更大。

说白了，非堆叠式传感器电路和感光元件绑在一起，导致效率低。堆叠式传感器将它们分开，各司其职，从而实现更高的效率。

那么，背照式+堆叠式=背照式堆叠传感器。这种传感器不仅图像质量更好，而且工作效率更高，带来了数码相机性能的快速发展。

现在大家都知道了。

有不懂的希望在评论区看到~