图像传感器设计资料:GCINE4349 4.3微米 49MP 卷帘快门 堆栈背照式 CMOS图像传感器

图像传感器设计资料:GCINE4349 4.3微米 49MP 卷帘快门 堆栈背照式 CMOS图像传感器GCINE4349 GCINE4349 4 3 微米 49MP 卷帘快门 堆栈背照式 CMOS 图像传感器 GCINE4349 采用 4 3um 背照像素设计 4900 万像素 8192 x 6000 全画幅 35 2 x 25 8mm 在 16bit ADC 64 x 1 2Gbps

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GCINE4349

GCINE4349 4.3微米 49MP 卷帘快门 堆栈背照式 CMOS图像传感器


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GCINE4349采用4.3um背照像素设计,4900万像素(8192 x 6000)全画幅(35.2 x 25.8mm),在16bit ADC(64 x 1.2Gbps sub-LVDS)采样下,8K模式下帧频高达120fps,像素合并式4K模式下帧频高达240fps。

GCINE4349采用4.3um背照像素设计,4900万像素(8192 x 6000)全画幅(35.2 x 25.8mm),支持多种读出模式下的 8K或像素合并式4K分辨率输出。同时芯片在16bit ADC(64 x 1.2Gbps sub-LVDS)采样下,8K模式下帧频高达120fps,像素合并式4K模式下帧频高达240fps。GCINE4349采用了堆栈式背照技术,由两层晶圆堆叠而成。顶层是由4.3um像素,4900万的背照像素阵列组成,在525nm波段下峰值灵敏度高达75%。底层数字CMOS层由一系列核心单元组成,每个核心单元包括16bit ADC模块和SRAM存储模块,可对多达4个后续子帧进行求和存储运算,从而实现高动态范围(80dB)下160k e-的满阱容量。

GCINE4349还支持额外两种HDR模式。多斜率HDR功能可实现18+档或高达110 dB的超高动态范围,在双增益HDR模式下,也可实现多达 14+档或87dB的动态范围。而在数码相机 (DSC) 模式下,可实现低至1.7 e-的低噪声读出和适配于此模式的特定快门控制。

GCINE4349采用431针LGA陶瓷封装,并配有双面增透膜玻璃盖。

产品特点及优势:

堆栈背照式

高灵敏度

高动态范围

低噪声

多斜率HDR模式

VX :orihard2014

 

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