中文名称：P型二硫化钨晶体
英文名称：p-type WS2 crystals
晶体尺寸：3-5mm
掺杂气体：p型~1017-18cm-3（Nb掺杂剂）
材料特性：2.02eV，直接间隙半导体
晶体结构：六边形相位
单元格参数：a=b=0.317 nm，c=1.230 nm，a=b=90%y=120°
合成方法：CVT
P型半导体通常指的是掺杂有少量能够提供电子空位（称为“空穴”）的杂质的半导体。对于二硫化钨（WS2）这样的材料来说，要实现P型掺杂，通常需要引入能够提供空穴的杂质或缺陷。
在实验室研究中，科学家们通过不同的方法尝试实现P型掺杂。引入杂质或者经过处理，可以改变二硫化钨中的电子结构，使其成为P型半导体。但对于WS2这样的材料来说，实现P型掺杂并不是一件容易的事情，因为其本身的电子结构和化学性质限制了这一过程。
P型二硫化钨晶体的研究可能涉及到在二硫化钨中引入适当的杂质，以增加空穴浓度并使其变成P型半导体。然而，实现P型掺杂需要深入的材料研究和处理技术，因此在这方面的工作可能仍处于探索和发展阶段。
中文名称：N型二硫化钨晶体
英文名称：n-type WS2 crystals
性质分类：半导体
晶体尺寸：3-5mm
掺杂气体：n型~1017-18cm-3（Re或Au掺杂）
材料特性：2.02eV，直接间隙半导体
晶体结构：六边形相位
单元格参数：a=b=0.317 nm，c=1.230 nm，a=b=90%y=120°
合成方法：CVT
N型半导体是指掺杂有能够提供自由电子的杂质，这些额外的电子会增加半导体的电子密度。对于二硫化钨（WS2）这样的材料来说，要实现N型掺杂，需要引入能够提供额外电子的杂质或缺陷。
在实验室研究中，科学家们通过不同的方法尝试实现N型掺杂。引入杂质或者采用处理方法，可以改变二硫化钨中的电子结构，增加电子的数量，使其成为N型半导体。
实现N型二硫化钨晶体可能涉及在二硫化钨中引入适当的杂质，以增加电子浓度并使其变成N型半导体。然而，要成功实现N型掺杂需要深入的材料研究和精密的控制技术。因此，在这个领域的工作可能仍处于探索和发展的阶段。
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