2025年jflash擦除芯片和擦除片区（flash芯片擦写次数）

科技前沿 • 2025-05-05 17:23 • 阅读 40
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 <p id="354E91GB"><strong>编辑 | 环仪仪器</strong></p><p id="354E91GC">为了研究FLASH芯片的坏区增长与擦写次数为怎样的关系，目前尚未有实际实物参照数据。下面使用Flash器件高低温擦写性能试验箱，通过FLASH芯片寿命试验，在地面模拟FLASH芯片在空间连续加电并多次擦除、写和读操作，设计了以下试验方法。</p><p id="354E91GD"><strong>Flash芯片高低温寿命试验设计：</strong></p><p id="354E91GE"><strong>试验设备：</strong>环仪仪器 Flash器件高低温擦写性能试验箱</p><p id="354E91GF"><strong>配套工具：</strong>试验板1套，可承受工作环境温度为-10℃～+70℃、稳压电源1套、测试计算机1台、测试电缆一套</p><p class="f_center"><img src="https://nimg.ws.126.net/?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2024%2F1104%2Fee9aa1e0j00smenns00ggd000m700gom.jpg&thumbnail=660x&quality=80&type=jpg"/><br/><br/></p><p id="354E91GH"><strong>试验过程：</strong></p><p id="354E91GI">串口1实时显示操作次数，每次操作时的坏区总数，串口2实时显示擦除和编程超时或反馈出错的区块号，串口3用于下传所有的坏区表、接收指令恢复某一坏区等需要交互的操作。寿命试验过程中每隔一定的动作次数后，需进行手动测试，通过串口遥测记录芯片在不同操作模式下的工作电流、坏区表、擦除反馈错误、擦除超时坏区、编程反馈错误、编程超时坏区以及误码率，并进行统计，最后绘成曲线。测试台需断电保持芯片擦写的次数，并在串口遥测中显示。</p><p class="f_center"><img src="https://nimg.ws.126.net/?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2024%2F1104%2F80f8c468j00smennt00sbd000nu00hym.jpg&thumbnail=660x&quality=80&type=jpg"/><br/><br/></p><p id="354E91GK">试验过程必须包含FLASH芯片的擦除和写操作，考核芯片长时间的加电工作后性能是否下降（监视不同模式下的电流是否增加、擦除时间是否会超时和编程时间是否延长），坏区是否增加。</p><p class="f_center"><img src="https://nimg.ws.126.net/?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2024%2F1104%2F8ca1801aj00smenns0027d000ls00gcm.jpg&thumbnail=660x&quality=80&type=jpg"/><br/><br/></p><p id="354E91GM"><strong>试验结果：</strong></p><p id="354E91GN">FLASH芯片寿命试验总擦除次数为次，试验开展共409天，试验结束后总坏块数为36个，并未增加。根据资料，10万次擦除寿命末期单片的某一层坏区累计不到容量的2%，试验采用的芯片总共4096块，36個坏块的比率为0.88%，不超过厂家指标值。</p><p id="354E91GO">以上就是Flash器件高低温擦写性能试验箱相关测试过程，如有试验疑问，可以<strong>访问“环仪仪器”官网</strong>，咨询相关技术人员。</p>
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