一、ECV背景
对于半导体器件的设计和制造而言，器件中载流子浓度、掺杂厚度以及杂质分布都是必须严格控制的参数，就要求对载流子的浓度及分布有更精确可靠的测量。
目前，业界已有几种表征杂质浓度分布的方法，如扩展电阻法、电容一电压法(C-V)、二次离子质谱(SIMS)、微分霍耳法、电化学电容一电压法(ECV)等。
这些技术各有其自身的优缺点。
- 传统的CV法尽管实验方法简单，有较好的分辨率及精确性，但它受限于反偏电压下的击穿，不易表征高掺杂样品和具有一定深度分布的样品以及pn结；
- 扩展电阻法可以测量pn结且不受深度的限制，但其要求精细的样品准备、探针选择以及数据提取与校正，杂质浓度分布的表征依赖于校正因子和迁移率的选择，且由于磨角度数和探针半径的限制，用它表征几十纳米结深的超浅结非常困难；
- 微分霍耳法通过反复测试剥层前后薄层电阻和面霍耳系数的变化可以同时测量出载流子浓度及迁移率的深度分布，也可以测量pn结，但精确控制超薄层的剥离和精确测量霍耳效应在技术上是巨大的挑战，尤其对于几十纳米结深的超浅结；
- SMIS法有较好的分辨率及精确度，也可以表征pn结，但它需要复杂昂贵的设备，同时所测出的杂质浓度是原子浓度而不是电激活杂质浓度；
- ECV方法利特用合适的电解液既可作为肖基接触的电极测量C-V特性，又可进行电化学腐蚀因此可以层层剥离测量电激活杂质的浓度分布，剖面深度不受反向击穿的限制，并可测量pn结，目前它在Ⅲ-V族化合物半导体中已有较多的应用，但ECV法对硅尤其是几中纳米结深和以上掺杂浓度的超浅结的表征研究较少。
二、ECV测试原理
半导体电化学腐蚀是根据电化学中阳极氧化及电解原理来实现的。固体物质在液体中消溶有两种方法：一
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