一个基本的Senario包括PVT三个要素。
P Process是指Fab在生产过程中工艺、机台等的差异导致芯片的偏差。分为TT SS FF FS SF等这几类情况。
SS：slow NMOS and Slow PMOS
FF：Fast NMOS and Fast PMOS
其余的类推，这里的slow和fast指的是载流子迁移的速度。可以通俗的理解为Fast表示芯片速度快。
V Voltage 指得是芯片的工作电压。例如tt电压为1V ss的电压就是0.9V ff的电压就是1.1V
T Temperature 是指芯片工作的温度。例如tt的温度是0℃ or 25℃。高温就是125℃ 低温一般为-40℃
此外有些Senario还包括其他的工作状态，如DFT mode or Function mode。RC coner，如Cbest RC worst etc。
PVT三者相互组合就形成了如下的Senario。对应的解释如下。
WC：worst case slow，低电压，高温度，慢工艺 -> 一般情况下delay最大，setup 差。
WCL：worst case low-temperature，低电压，低温度，慢工艺 -> 温度反转效应时delay最大，setup差。
LT：即low-temperature，也叫bc（best case fast），高电压，低温度，快工艺 -> 一般情况下delay最小，hold差。
ML：max-leakage，高电压，高温度，快工艺 -> 温度反转效应下delay最小，hold差。
TC：typical，也叫tt，普通电压，普通温度，标准工艺 -> 各种typical。
BC：Best case。高电压，快工艺，常温0℃ or 25℃。
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