SGD封裝示意圖
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product
L(mm) W(mm) H(mm) 讯享网
0201 0.60 ± 0.03 0.30 ± 0.03 0.30 ± 0.03
0402 1.00 ± 0.05 0.60 ± 0.05 0.50 ± 0.05
0603 1.60 ± 0.10 0.80 ± 0.10 0.60 ± 0.10
此區為低電流區，此時電壓與電流滿足歐姆特性，電阻係數約1012~1013Ω ，可視為絕緣體。此區會受到溫度變化的影響，當溫度升高時，通過STS的電流會增大，而此電流一般稱為漏電流(Leakage Current)。
(b)-崩潰區(Breakdown Region)
此區為STS的作用區，電壓與電流不再滿足歐姆定理。當電壓稍微變化時，電流就會有明顯的變化。STS就是利用這個特性來達到保護電路元件的功能。
©-上升區(Upturn Region)
此區為高電流區，電壓與電流的關係再度滿足歐姆定理，電阻係數約為1Ω以下 。
1.Working peak reverse voltage (VRWM)：
最大連續工作的直流電壓。
2.Maximum reverse leakage(IR)最大反向漏電流：
最大反向漏電流，VRWM是STS最大連續工作的直流電壓，當這個電壓加於STS的兩端極時它處於反向狀態，流過它的電流應小於或等於其最大反向漏電流IR。
3.擊穿電壓Breakdown voltage(VBR)：
VBR是STS的擊穿電壓。在25℃時，低於這個電壓STS是不會發生雪崩的。當STS流過規定的1mA電流(IR)時，加於STS兩極的電壓為其擊穿電壓VBR。
4.抑制電壓Clamping voltage(VCL)：
VCL在IPP=16A, tp=100ns，使用TLP所量測。
5.最大抑制電壓Maximum Clamping voltage(VC)：
VC在IPP=1A & 4A，使用8*20 us Surge所量測。
6.電容量Parasitic capacitance(CESD)：
CESD是由STS雪崩結截面決定的，是在特定的1MHz頻率下測得的。CESD的大小與STS的電流承受能力成正比，C太大將使信號衰減。因此，C是數據介面電路選用TVS的重要參數。
principle
規格
Part Number Reverse Working Voltage Parasitic Capacitance Clamping Voltage(ESD and TLP) Peak Pulse Power Peak Pulse Current
Symbol VRWM(max.) CESD(1MHz)(typ.) VCL(VESD 8KV) PPK(8/20μs) IPP(8/20μs)
0201TS3R3-100W 3.3V 10pF 12V 70W 7A
0201TS050-100W 5.0V 10pF 12V 72W 6A
0201TS050-0R3A 5V 0.3pF 30V 60W 3A
0201TS050-2R5A 5.0V 2.5pF 16V 45W 3A
0402TS3R3-100K 3.3V 10pF 10V 80W 8A
0402TS050-0R3W 5.0V 0.3pF 30V 54W 3A
0402TS050-0R5A 5.0V 0.35pF 15V 60W 4A
0402TS050-2R5A 5.0V 2.5pF 16V 45W 3A
0402TS050-050A 5.0V 5pF 16V 45W 3A
0402TS050-100A 5.0V 10pF 12V 96W 8A
0402TS050-170K 5.0V 17pF 12V 80W 8A
0402TS050-300A 6.5V 0.3pF 30V 54W 3A
0402TS070-100A 7.0V 12pF 13V 72W 6A
0402TS120-060A 12.0V 6pF 18V 120W 6A
0603TS050-R3W 5.0V 0.3pF 30V 54W 3A
0603TS050-100A 5.0V 10pF 12V 96W 8A
0603TS050-2R5A 5.0V 2.5pF 16V 45W 3A
0603TS3R3-100K 3.3V 10pF 10V 80W 8A
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