之前在给一个朋友讲mos管的预夹断的时候，忽然发现自己原来的理解和教材上讲的有出入，经过查资料和思考，总算弄清楚了自己的理解误区。
先放两张图，一张是mos管的结构图，一张是预夹断时候的mos管图。
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原先的错误理解
改正后的理解
1.首先要明白，N沟道形成的原因是由于G极与衬底存在电势差，导致衬底的部分电子被吸引到上面的二氧化硅绝缘层下面，进而形成N沟道。
2.其次，非常重要也是我之前理解错误的是，由于G极是导体，平衡后其横向并无电势差，而衬底是P型半导体，平衡后可以有电势差。
3.因此，D极电势高并不会改变其附近的G极电压，而会使D极附近的衬底电压升高，从而使G极与衬底的电压差降低，D极附近衬底的电压近似等于D极电压，所以当 V G − V D = V T H V_G-V_D=V_{TH} VG−VD=VTH即D极附近G极与衬底的电压差等于开启电压时，就会出现预夹断。而S区附近G极与衬底的电势差为 V G S V_{GS} VGS是始终大于 V T H V_{TH} VTH的，自然不会产生夹断。
总结需要注意的几点
1.首先要注意 V G V_G VG的电压是最高的， V G S > V D S V_{GS}>V_{DS} VGS>VDS。
2.其次，衬底中是有电势变化的，D极附近电势高，S极附近电势低。
3.再次，沟道的形成是G极与衬底的电压差决定的，G极的电势是恒定的。
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