2025年半导体功率器件静态参数测试仪系统 & 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

半导体功率器件静态参数测试仪系统 & 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......DCT1401 半导体功率器件静态参数测试仪系统 DCT1401 半导体功率器件静态参数测试仪系统 能测试很多电子元器件的静态直流参数 如击穿电压 V BR CES V BR DSs 漏电流 ICEs lGEs IGSs lDSs 阈值电压 VGE th 开启电压 VCE on 跨导 Gfe Gfs 压降 Vf 导通内阻 Rds on 测试种类 覆盖 7 大类别 26 分类

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DCT1401

半导体功率器件静态参数测试仪系统

DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。

测试种类覆盖 7 大类别26分类,包括“二极管类”“三极管类如BJT、MOSFET、IGBT”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A)

控制极/栅极电压40V,栅极电流10mA

分辨率最高至1mV / 1nA,精度最高可至0.5%

DCT1401半导体功率器件静态参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”,支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”


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第一部分:规格&环境

1.1、产品信息

产品型号:DCT1401@029-

产品名称:半导体功率器件静态参数测试仪系统

1.2、物理规格

主机尺寸:深660*宽430*高210(mm)

主机重量:<35kg

主机颜色:白色系

1.3、电气环境

主机功耗:<300W

海拔高度:海拔不超过 4000m;

环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);

大气压力:86Kpa~106Kpa;

防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;

电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;

工作时间:连续。

第二部分:应用场景和产品特点

一、应用场景

1、测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试主要功能为功率器件测试

2、失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)

3、选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)

4、来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)

5、量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

6、替代进口

小讯
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