单结晶体管的负阻特性_模拟电子技术实用知识(单结晶体管)

单结晶体管的负阻特性_模拟电子技术实用知识(单结晶体管)一 单结晶体管的结构与特性 1 单结晶体管的结构 单结晶体管因为具有两个基极 故单结晶体管又称为双基极晶体管 单结晶体管有三个电极 分别称为第一基极 b1 第二基极 b2 发射极 e 单结晶体管虽然有三个电极 但在结构上只有一个 PN 结 它是在一块高电阻率的 N 型硅基片一侧的两端 各引出一个电极

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一、单结晶体管的结构与特性

1.单结晶体管的结构


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单结晶体管因为具有两个基极,故单结晶体管又称为双基极晶体管。单结晶体管有三个电极,分别称为第一基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管虽然有三个电极,但在结构上只有一个PN结,它是在一块高电阻率的N型硅基片一侧的两端,各引出一个电极,分别称第一基极b1和 第二基极b2。在硅片的另一侧较靠近b2处,用扩散法掺入P型杂质,形成一个PN结,再引出一个电极,称发射极e。单结晶体管的内部结构、等效电路、图形符号如图1所示。

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