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笔者使用的是朱老师的嵌入式及 教程 S5PV210

一.内存映射

专业术语：

ROM：只读存储器，例如硬盘

RAM:随机访问存储器，例如内存

IROM：内部ROM，集成到SoC内部的ROM

IRAM:同理

DRAM:动态RAM 内存

SRAM:静态RAM 内存

SROM:sram 和 rom

DRAM是采用总线型连接,内存映射上有多少空间是DRAM的，那么实际上就只能外接这么多大小的内存芯片，而flash（NandFlash）的连接方式和DRAM不同，其地址总线和数据总线是复用的，读写数据需要先发送命令，不能随机访问。内存映射上的大小并不是实际flash的大小。

所谓总线型连接就是指按照地址总线和数据总线分开的方式来进行cpu和存储器芯片的直接连接。除了DRAM可以进行总线型连接外，NorFlash也可以总线型连接，和DRAM一样直接占用cpu的地址空间。通常NorFlash连接在SROM（图中红**域）区域中。

二.CPU和外部存储器的接口 2017/10/24 14:51

内存： 内部存储器 用来运行程序的，RAM (DRAM SRAM DDR)

外存： 外部存储器 用来存储东西的，ROM (硬盘 flash SSD)

内存采用直接地址访问，所以是通过地址总线&数据总线的总线式访问的

好处：直接访问，随机访问

坏处： 占用了CPU的地址空间，大小受限

外存采用CPU的外存接口来访问的

好处：不占用CPU的地址空间，

坏处：访问速度没有总线式快，访问时序复杂

SoC常用外部存储器类型

•Nor Flash：最早的FLASH存储器，支持总线式访问，CPU可以像访问内存一样访问，如s3c2440

•Nand Flash： 集成密度高，存储空间较大,分为SCL颗粒和MLC颗粒

•eMMC/iNand/moviNand

eMMC:：针对手机和平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格，提供标准接口并管理闪存

iNAND：是SanDisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成SD卡或MMC卡芯片化

moviNand是三星公司研发的存储芯片，功能类似于iNand。

•oneNAND： 三星公司研发的结合Nor优点和Nand Flash 高容量存储特点的Flash 

•SD卡/TF卡/MMC卡

•eSSD： Embeded SSD 采用 MLC Nand Flash技术 

•SATA硬盘

Nand Flash的SLC 和MLC对比

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SLC（Single-Level Cell ）单层单元闪存，每个单元存储一位数据，一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。

MLC（Multi-Level Cell) 多层单元闪存，通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。

A.读写速度较慢。相对主流SLC芯片，MLC芯片目前技术条件下，理论速度只能达到2MB左右，因此对于速度要求较高的应用会有一些问题。 

B.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。 

C.MLC理论写入次数上限相对较少，因此在相同使用情况下，使用寿命比较SLC短。 

D.MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。

三.S5PV210的启动过程详解

内存 ： 

SRAM 静态内存 特点就是容量小、价格高，优点是不需要软件初始化直接上电就能用 

DRAM 动态内存 特点就是容量大、价格低，缺点就是上电后不能直接使用，需要软件初始化后才可以使用。

单片机中：内存需求量小，而且希望开发尽量简单，适合全部用SRAM 

嵌入式系统：内存需求量大，而且没有NorFlash等可启动介质 

PC机： 内存需求量大，而且软件复杂，不在乎DRAM的初始化开销，适合全部用DRAM

外存：  

NorFlash：特点是容量小，价格高，优点是可以和CPU直接总线式相连，CPU上电后可以直接读取，所以一般用作启动介质。 

NandFlash（跟硬盘一样）：特点是容量大，价格低，缺点是不能总线式访问，也就是说不能上电CPU直接读取，需要CPU先运行一些初始化软件，然后通过时序接口读写。

所以一般PC机都是：很小容量的BIOS（NorFlash）+ 很大容量的硬盘（类似于NandFlash）+ 大容量的DRAM 

一般的单片机： 很小容量的NorFlash + 很小容量的SRAM 

嵌入式系统：因为NorFlash很贵，所以现在很多嵌入式系统倾向于不用NorFlash， 

直接用：外接的大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC内置SRAM

S5PV210使用的启动方式是：外接的大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC内置SRAM

S5PV210启动方式理解，图

S5PV210的启动可大致分为五个步骤

1、iROM阶段（BL0） 

2、BL1阶段 

3、BL2阶段 

4、拷贝OS到SDRAM 

5、启动OS

(1)BL0：是指S5PV210的iROM中固化的启动代码

        作用：初始化系统时钟，设置看门狗，初始化堆和栈，加载BL1

(2)BL1：是批在iRAM自动从外扩存储器(nand/sd/usb)中拷贝的uboot.bin二进制文件的头最大16K代码

        作用：初始化RAM,关闭Cache，设置栈，加载BL2

(3)BL2：是指在代码重定向后在内存中执行的uboot的完整代码

        作用：初始化其它外设，加载OS内核

(4)三者之间的关系：(Interal ROM固化代码)BL0将BL1(bootloader的前16KB–BL1)加载到iRAM；BL1然后在iRAM中运行将BL2(剩下的bootloader)加载到SDRAM；BL2加载内核，把OS在SDRAM中运行起来，最终OS是运行在SDRAM(内存)中的。（理解引用网上的一些大佬分析的，如有侵权，提醒删）

iROM都做了些什么？

1、关闭看门狗； 

2、初始化icache； 

3、初始化栈； 

4、初始化堆； 

5、初始化 块设备拷贝函数 ； 

6、初始化PLL，设置系统时钟； 

7、拷贝BL1到内部的SRAM区域； 

8、检查BL1的校验和； 

9、检查是否是安全启动模式； 

10、跳转到BL1的起始代码处。

从图可以看出210在启动的时候首先会判断，系统是从休眠中唤醒还是刚上电，从而决定是重新引导系统还是直接跳转到OS继续执行休眠前的代码；然后还有一个”Checksum OK?”的判断，如果BL1的代码检验出错会自动跳转尝试用 “2nd”方式启动 。

S5PV210还提供了一个”Secure Boot” 安全启动的模式。

S5PV210提供多种启动方式如下

”1st启动”可以通过引脚选择，

当”1st启动”失败后，会尝试从”2nd启动”，也就是从SD卡通道2，通过SD卡启动方式启动。

如果”2nd启动”仍然失败，会尝试从“Uart boot”启动

如果仍然失败将会尝试从 “USB boot”启动。（）

这节的学习，有点迷迷糊糊的，因为都是一些原理性的东西，不能更直接的理解，还没上手源码分析，后面上手u-boot分析，再补上。