2025年bt1120和bt656的区别(bt151 650r)

bt1120和bt656的区别(bt151 650r)编辑 Z 15N120 在 TO 220 封装里引出 3 个引脚 是一款低功耗场效应管 15N120 的二极管浪涌正向电流 IFM 为 45A G E 漏电流 IGES 为 100nA 其工作时耐温度范围为 55150 摄氏度 15N120 的栅极 发射极电压 VGES 为 20V 15N120 的电性参数是 二极管连续正向电流 IF 为 15A 集电极 发射极电压 VCES 为 1200V

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15N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A,G-E漏电流(IGES)为100nA,其工作时耐温度范围为-55150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是:二极管连续正向电流(IF)为15A,集电极-发射极电压(VCES)为1200V,二极管正向电压降(VFM)为1.7V,反向恢复时间(trr)为210NS。

 

15N120参数描述

型号:15N120

封装:TO-220

特性:低功耗场效应管

电性参数:15A 1200V

二极管连续正向电流(IF):15A

二极管浪涌正向电流(IFM):45A

集电极-发射极电压(VCES):1200V

栅极-发射极电压(VGES):±20V

二极管正向电压降(VFM):1.7V

G-E漏电流(IGES):100nA

反向恢复时间(trr):210NS

工作温度:-55+150℃


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引线数量:3

VBUS ESD二极管选择_汽车电子

 

15N120插件封装系列。它的本体长度为20.1mm,加引脚长度为40.4mm,宽度为15.8mm,高度为5.0mm,脚间距为5.45mm。15N120有高速切换、高输入阻抗等特性。15N120采用NPT技术,提供低传导和开关损耗,为感应加热(IH),电机控制,通用逆变器和不间断电源(UPS)等应用提供解决方案。

 

以上就是关于15N120-ASEMI场效应管15N120的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。

 

ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

VBUS ESD二极管选择_封装_02

 

 

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