- 集成编程电压发生器
- 字节、字、长字编程
- 超低功耗操作
- 可进行段擦除、扇区擦除和全部擦出
- 边沿0和边沿1读模式
- 当程序不在待擦除的扇区执行时，扇区可以单独擦除
Flash分为主存、信息部分和BSL存储器部分，可被字节（8bit）、字（16bit）、长字（32byte）、块（128byte）写入，但段是最小的擦除大小。数据段和代码段没有差别，然而段的大小根据不同区段有差异：
- 主存和BSL段是512bytes
- 信息储存段是128bytes
2.1 Segment A
注意：当向LOCKA位写入1时，LOCKA位的状态将被切换。向LOCKA写入0不起作用。
Flash默认读模式，就像ROM一样不能写入和擦除，Flash时序发生器和电压生成器关闭。当一个扇区被擦除时，Flash允许在另外的扇区中执行程序，也可以从没有在执行擦除的扇区读数据。
Flash可以在不需要外部电压的情况下实现系统中编程。CPU能够对Flash进行编程。Flash通过BLKWRT,WRT, MERAS,ERASE位来选择写入/擦除模式：
- 字节、字、长字写入
- 块写入
- 段擦除
- 扇区擦除（针对主储存扇区）
- 主存擦除（所以主储存扇区）
- 当擦除扇区读（除了从当前的扇区读）
擦除周期
擦除主内存
擦除信息段或BSL闪存段
从Flash中擦除
从RAM中Erase
3.2 FLASH写入
字节或字写入
从Flash字节或字写入
从RAM字节或字写入
Long-Word写入
从Flash长字写入
从RAM长字写入
块写入
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