2025年【分立元件】MOSFET管导通电阻

【分立元件】MOSFET管导通电阻根据 MOSFET 的工作原理 以 N 型 MOSFET 为例 在 MOS 管导通时 电流是由漏极 D 极 流向源极 S 极 电流流过单一 N 型半导体 所以是单一的电阻导电性质 与三极管的导通压降 0 7V 不同 三极管属于电导调制效应 在规格书中的电气特性 也都会标出不同 Vgs 电压和不同电流下导通电阻值范围 相对来说 耐压越高的 MOSFET 要做的越厚 那么导电路径就会越长

大家好,我是讯享网,很高兴认识大家。

根据MOSFET的工作原理,以N型MOSFET为例。在MOS管导通时,电流是由漏极(D极)流向源极(S极),电流流过单一N型半导体,所以是单一的电阻导电性质。与三极管的导通压降0.7V不同,三极管属于电导调制效应。


讯享网

在规格书中的电气特性,也都会标出不同Vgs电压和不同电流下导通电阻值范围。

相对来说,耐压越高的MOSFET要做的越厚,那么导电路径就会越长,导通电阻RDS也会越大。如果导电沟道越宽,导通电阻就会越小。MOSFET的长处是低压场合,恒量MOSFET的导通就是导通电阻的概念。

小讯
上一篇 2025-03-09 16:10
下一篇 2025-03-26 12:38

相关推荐

版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌侵权/违法违规的内容,请联系我们,一经查实,本站将立刻删除。
如需转载请保留出处:https://51itzy.com/kjqy/126587.html