影响cell delay的因素主要有：工艺，电压和温度三种（PVT）
由此产生各种corner：
wc：worst case slow，低电压，高温度，慢工艺 -> 一般情况下delay最大，setup 差。
wcl：worst case low-temperature，低电压，低温度，慢工艺 -> 温度反转效应时delay最大，setup差。
lt：即low-temperature，也叫bc（best case fast），高电压，低温度，快工艺 -> 一般情况下delay最小，hold差。
ml：max-leakage，高电压，高温度，快工艺 。温度反转效应下delay最小，hold差。
tc：typical，也叫tt，普通电压，普通温度，标准工艺 -> 各种typical。
这里的快、慢和标准工艺指manufacture时的N/PFET的驱动电流值，min对应慢工艺，max对应快工艺。
温度反转就是指在深亚微米的工艺下，有可能出现在低温时cell delay反向变化的情况。
详情参见：(9条消息) 【芯片设计】温度对阈值电压的影响？温度翻转效应发生的原因？_芯片后端工程师-ratel的博客-CSDN博客
具体到corner里，就是wcl的跑出来setup结果比wc的还差，相应ml的hold结果比lt的更差。所以一般signoff标准就要包括wcl和ml，也就是考虑了温度反转的情况
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