存储器扩展彻底研究——剖析nWE, nWBE, nBE三者之间的关系
1．存储器扩展地址、数据线的连接方法重点参见2440手册，主要涉及地址对齐问题，较容易理解，此处不作论述。
2． nWE, nWBE, nBE三者之间的关系
（1）nWE为写使能信号。
（2）nWBE为“写字节使能(write byte enable)”信号，而nBE 为高/低字节选择信号。nWBE与nBE共用引脚，可以通过对相关寄存器设置来进行功能选择。
（3）什么时候需要nWBE而不是nWE？
nWE和nWBE都带有写使能的功能。但既然有nWE，为什么还需要nWBE？这是因为，当使用几片储存芯片进行数据位扩展时，有时需要对芯片分开写数据，此时可使用nWBE。
在图5-4中，仅有一片8bit的ROM，因此仅需要nWE，而不需要nWBE。而在图5-5中，用了2片8bit的ROM，如果不使用nWBE，则写操作是对2片ROM同时进行的，这样，当执行写字节指令时可能会破坏另一芯片中的数据。（注意nWBE的信号是自动产生的。）从这个角度来说，nWBE有字节数据屏蔽的功能。
后面我们也会看到，SDRAM中有DQM信号也是用来进行数据屏蔽作用的，那么它们之间区别何在？
（4）nWBE, nBE有什么区别？什么时候应该配置成nBE？
根据手册描述“nBE[3:0] is the 'AND' signal nWBE[3:0] and nOE”，即nBE是nWBE和nOE的“与”信号，这句话给了我们非常重要的启示，应该说深刻揭示出了nWBE, nBE之间的本质、内涵。
首先看一下真值表：
| nWBE |
nOE |
nBE |
说明 |
| 1 |
1 |
1 |
nWBE, nOE均无效（低电平有效），于是nBE无效 |
| 0 |
0 |
0 |
nWBE, nOE任意一个有效（低电平有效），则nBE有效 |
| 1 |
0 |
0 |
|
| 0 |
1 |
0 |
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