半导体呈电中性。
由于N区注入了少子空穴，故也会增加多子数量。多子来自N区。
注入的少子浓度很大（大注入）、接近掺杂浓度时，则额外积累起来的多子浓度也就与掺杂浓度相当了，这时，基区的电导率实际上就决定于基区掺杂浓度和额外增加的多子浓度的总和（换句话说，大注入的结果就相当于增加了基区掺杂浓度），从而基区的有效电导率大大增加了（注入越大，有效电阻率降低得越多），这就是基区电导调制效应（也称为Webster效应）。
当发射结电压较大、往基区大量地注入少数载流子时，相应地基区中也有大量的多数载流子的积累 (并维持与少子有相同的浓度梯度)，这就相当于增加了基区的掺杂浓度，使得基区的电阻率下降。
作用
直接影响就是BJT基区的电阻率下降（电导率增大），使得发射结的注射效率降低，减小了电流放大系数。
来源
BJT在大电流情况下，容易产生 电导调制效应。
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