文章目录
- 前言
- 一、版图设计的介绍
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- 介绍
- 数字电路和模拟电路布局的要求
- 流片过程
- OPC技术（光学邻近矫正）
- 数字集成电路设计流程
- 模拟集成电路设计流程
- 二、MOS管的流片流程
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- MOS管尺寸指数
- 1P4M芯片构成
- 流片工艺立体图
- 流片的简单过程
- 三、流片的实际设计过程
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- 1、N阱光刻
- 2、氧化层刻蚀
- 3、N阱注入
- 4、氮化硅奠基
- 5、有源区光刻
- 6、氮化硅光刻
- 7、生产场氧层
- 8、薄的栅氧化层生长
- 9、多晶硅注入做奠基
- 10、栅极光刻
- 11、多晶硅刻蚀
- 12、形成源漏区准备
- 13、N+光刻
- 14、N+注入
- 15、N+区完成
- 16、P+区光刻
- 17、P+区注入
- 18、P+衬底形成（注入完全）
- 19、奠基厚的氧化层做绝缘处理
- 20、接触光刻
- 21、厚的氧化层光刻
- 22、注入金属钨
- 23、金属一层光刻
- 24、金属一层刻蚀
- 25、金属一互联
- 26、多层金属互联的立体结构
- 四、实际案例
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- 1、CMOS晶体管的横切片图和版图
- 2、设计规则技术
- 3、DRC检查和LVS
- 4、Post Simulation
- 五、软件仿真的一些简单步骤
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