常用半导体器件
三极管
IEN:发射结Je正偏，所以Je两侧的多子的扩散占优势，因而发射区的电子源源不断的超过Je注入到基区，形成电子注入电流IEN。
IEP：基区的空穴也向发射区注入，形成空穴注入电流IEP
IBN：基区中与电子复合的空穴由基极电源提供，形成基区复合电流IBN(基极电流的主要部分)
ICN：由于集电结Jc反偏，形成了较强的电场，所以，扩散到Jc边沿的电子在该电场作用下漂移到集电区，形成集电区的收集电流ICN（构成集电极电流Ic的主要部分）。
ICBO：集电区和基区的少子在Jc的反偏压的作用下，向对方漂移形成Jc的反向饱和电流，并流过集电极和基极支路，构成IB和IC的另一部分电流。
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