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MOSFET（二）：米勒效应

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MOSFET（二）：米勒效应一 米勒效应 管的任何两极之间都会存在寄生电容 分别是 如下图所示 其中 管的米勒电容 会引起米勒效应 在 管导通过程中 电压上升到某一电压值后 电压有一段稳定值 图中 阶段

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一、米勒效应

        MOS
讯享网 管的任何两极之间都会存在寄生电容，分别是C_{gs}，C_{gd}，C_{ds}，C_{gb}，如下图所示：

        其中，MOS 管的米勒电容 C_{gd} 会引起米勒效应：
        在 MOS 管导通过程中，V_{gs} 电压上升到某一电压值后，V_{gs} 电压有一段稳定值（图中 t_{2}\rightarrow t_{3} 阶段），一段时间后 V_{gs} 电压又开始上升直至完全导通。米勒效应会阻止 V_{gs} 电压上升，使得导通时间变长，损耗加剧，具体过程如下图所示：

  1. t_{0} 时刻：V_{gs} 为 0，V_{d}> V_{g} ，C_{gd} 充电，右正左负；
  2. t_{0}\rightarrow t_{1} 时刻：V_{gs} 开始上升，I_{g} 电流主要给 C_{gs} 充电，当 V_{gs} 达到开启电压 V_{th} 时（t_{1} 时刻），MOS 开始导通，V_{ds} 开始下降；
  3. t_{1}\rightarrow t_{2} 时刻：V_{gs} 继续上升，给 C_{gs} 充电，V_{ds} 继续下降（下降较小），当 V_{gs} 达到米勒平台电压 V_{a} 时，开始进入米勒平台；
  4. t_{2}\rightarrow t_{3} 时刻：t_{2} 时刻开始，随着 V_{d} 下降，V_{d}< V_{g}，驱动电流主要开始反向给 C_{gd} 充电，这段时间，V_{gs} 没有增加，这段时间就是米勒平台；
  5. t_{3}\rightarrow t_{4} 时刻：随着 C_{gd} 逐渐充满，MOS 管完全导通，V_{gs} 继续增加，直到最高的驱动电平 V_{g}。

二、应用

        米勒平台虽然在高频开关状态会严重增加 MOS 的开通损耗，但是在电源缓启动中有很大的用处。通过上图可以看到，MOS 管两端电压 V_{ds} 的下降区间，大部分都在米勒平台之间完成，如果增加 MOS 管的米勒电容 C_{gd}，可以达到延长 V_{ds} 的下降时间，也就可以利用 MOS 管做开关，做电源的缓启动，在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电，都有很好的益处。
        下图为利用 MOS 缓启动时的导通波形：

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