2025年bs4（bs4库是什么）

科技前沿 • 2025-04-21 19:00 • 阅读 48

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本期參考自：Silvaco TCAD ATLAS Tutorial 19, How to write a code in DevEdit- How to build FinFET

FinFET是一種非平面的、多面閘極、3D的FET，於20210年代商業化，用於14 nm以下的節點。

於此我們要先介紹何謂DevEdit。他是一個結構編輯器，用於在現有結構上產生新Mesh。他可以在DeckBuild下運行或者使用GUI(Graphical User Interface)編輯。

平時如果結構中有太多鈍角三角形或者不夠數量的三角形都會導致結果失真；而如果太多三角形又會讓計算量過大。

而DevEdit可以把原先標準的Silvaco結構檔重新編寫網格詳細度(re-meshing)、優化配置。

使用DevEdit的時機可能是製作完元件後要跑電性前之類的，但對於一維結構或要計算精確的數值解時都不可以使用DevEdit。

剩下的…：「The GUI mode is not available on Windows.」－DevEdit Manuel。只好作罷。

於此我們會簡介如何利用DevEdit建立元件和如何利用DevEdit把現有元件加上Mesh。

一樣的，我們需要注意精度與時間的取捨。只有在某些地方放上細緻網目，例如MOSFET中DS介面的高電場處、MOSFET閘極下方的高電場處、高衝擊游離化發生處、異質接面附近等。

與第一、二回字典式地介紹語法的邏輯不同，我們從實際代碼釐清怎麼DevEdit這個核心的語言邏輯為何：

以下是示範結構：

原本二維使用的METHOD：在三維中，BLOCK不能用了。

而三維結構若未指明，預設會使用(incomplete lower-upper decomposition conjugate gradient system)，可以利用“bicgst”參數換成使用bi-conjugate gradient stabilized。

控制計算飄移-擴散電流與能量平衡等問題的外迭代次數(number of OUTER cycles)

只單次迭代後計算出的電位差最多可以跟原本差多少

是表明要載子速率採用哪種模型。0是傳統一般的速度飽和模型，也是預設的、1是負微分速度飽和模型(negative differential velocity saturation model)、2是simple velocity limiting model

結果呈現：

真的久。

SS目測100左右。