2025年w25q128是什么芯片（w25x16是什么芯片）

科技前沿 • 2025-06-16 11:29 • 阅读 32

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 <p style="margin-left:0cm;"><strong>W25Q128JV 128Mbit </strong><strong>串行Flash存储器</strong></p>

该存储器先划分为256个可擦除块。每个块可以划分为16个扇区，每个扇区4KB。每个扇区可以划分为16个页。每页256字节。

即可以知道，共计65536可编程页， 4096个扇区，256个块。

一次最多写入256字节。

页被擦除时，可以按照16页一组（4KB的扇区大小），

或者按照128页一组（32KB块大小），

或者256页一组（64KB块），

或者整个芯片

标准SPI通信（模式0和模式3），时钟频率133MHz。标准SPI指令使用DI输入引脚在CLK的上升沿将指令，地址或数据串行写入器件。DO输出引脚用于在CLK的下降沿从器件读取数据或状态。

当SPI总线主机处于待机状态且数据未传输至串行闪存时，模式0与模式3之间的主要区别在于CLK信号的正常状态。

（1）对于模式0，CLK信号通常在/ CS的下降沿和上升沿为低电平。

（2）对于模式3，CLK信号通常在/ CS的下降沿和上升沿为高电平

SPI片选（/ CS）引脚启用和禁用器件操作。

（1） / CS为高电平时，取消选择器件，并且串行数据输出（DO或IO0，IO1，IO2，IO3）引脚处于高阻态。取消选择时，除非正在进行内部擦除，编程或写入状态寄存器周期，否则设备的功耗将处于待机状态。

（2）将/ CS调低时，将选择设备，功耗将增加到活动水平，并且可以将指令写入设备或从设备读取数据。

上电后，/ CS必须从高电平转换为低电平，然后才能接受新指令。

/ CS输入必须在加电和断电时跟踪VCC电源电平（请参见“写保护”和图58）。

如果需要，可以使用/ CS引脚上的上拉电阻器来完成此操作。

W25Q128JV提供了三个状态和配置寄存器。

【读取状态寄存器-1/2/3指令】可用于提供有关闪存阵列可用性的状态，无论该设备是启用写操作还是禁用写操作，写保护状态，Quad SPI设置，安全寄存器锁定状态，擦除/程序挂起状态，输出驱动器强度，上电。

【写状态寄存器指令】可用于配置设备写保护功能，Quad SPI设置，安全寄存器OTP锁定和输出驱动器强度。对状态寄存器的写访问由非易失性状态寄存器保护位（SRL）的状态，写使能指令以及在标准/双SPI操作期间控制

当擦除和编写的动作涉及到处于保护状态的区域数据时，该命令会被忽略。

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w25qxx驱动代码，已封装好，只需要改下SPI接口，就直接调用各种函数-其它文档类资源-CSDN下载

单片机+Flash芯片并不能使用数据库来记录数据。为了使用Flash芯片记录数据，需要对FLASH的空间进行合理的划分。

（1）FLASH芯片不能频繁擦写，擦写次数预估在10000次。

（2）设备存在突然断电的情况，一秒钟向FLASH写一个数据，每次写入时，需要明确偏移地址。这个地址不能通过FLASH记录（考虑到寿命）。

（3）如果设备拥有铁电FRAM，可以使用铁电记录这种频繁修改的参数。铁电的擦写次数可以达到上亿次。

（4）如果不存在铁电FRAM，推荐使用RTC时间，用来计算上电时的数据记录偏移地址。

（5）上电时，从FLASH中读取起始时间点t0，则偏移地址offset = rtc实时时间 - t0 。当记满FLASH之后，修改FLASH中记录得到t0。

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