jtag 读取flash 数据（jtag读写flash）

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一、简介

1、闪存模块组织

2、FLASh基本结构

3、FLash写入和读取操作

4、编程流程

5、选项字节格式

6、选项字节编程步骤

二、读写芯片内部FLASH编程

三、器件电子签名

1、简介

2、编程实现

STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程
读写FLASH的用途：利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据；通过在程序中编程（IAP）,实现程序的自我更新。
在线编程（In-Circuit Programming – ICP）用于更新程序存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序（Bootloader）下载下载程序
在程序中编程（In-Application Programming – IAP），可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序
STM32F103C8T6 中Flash为64字节

ROM和RAM存储：

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主存储器利用页单元来存储数据，每个页的大小为1KByte,C8T6芯片64KByte ,所以只用了前64页。

启动程序代码即系统存储器，大小为2KByte

先解锁

FPEC（闪存编程/擦除控制器）共有三个键值：

键值RDPRT键0x000000A5KEY10xKEY20xCDEF89AB

解锁：

复位后，FPEC被保护，不能写入FLASH_CR

在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，解锁

错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR

加锁：

设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR

读写
- 使用指针读指定地址下的存储器： uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x0));
- 使用指针写指定地址下的存储器： *((__IO uint16_t *)(0x0)) = 0x1234;
- 其中： #define __IO volatile

volatile告诉编译器这个变量是易变的，不要去优化它，每次必须从内存中读取。

FLASH_CR寄存器中某位：

LOCK：锁，只能写’1’。当该位为’1’时表示FPEC和FLASH_CR被锁住。在检测到正确的解锁序列后，硬件清除此位为’0’。在一次不成功的解锁操作后，下次系统复位前，该位不能再被改变。
PG：编程，选择编程操作，置’1‘。
PER：页擦除，选择整页擦除，置’1‘。
START：开始，当该位为1时将触发一次擦除操作。该位只可由软件置1，并在BSY变为’1‘时，清为’0‘。
MER：全擦除，选择擦除所有用户页，置’1‘

FLASH_SR寄存器中某位：

BSY：忙，该位指示闪存操作正在进行。在闪存操作开始时，该位被设置为’1‘；在操作结束或发生错误时该位被清除为‘0’

编程过程

闪存页擦除

闪存全擦除

每个选择位都在信息块中有它的反码位，在装载选择位时反码位用于验证选择位是否正确，如果有任何的差别，将产生一个选择字节错误标志(OPTERR)

RDP：写入RDPRT键（0x000000A5）后解除读保护
USER：配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位
Data0/1：用户可自定义使用 WRP0/1/2/3：配置写保护，每一个位对应保护4个存储页（中容量）

选项字节编程
- 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作
- 解锁FLASH_CR的OPTWRE（允许写选择字节），当该位为1时，允许对选择字节进行编程操作。当在FLASH_OPTKETR寄存器写入正确的键序列后，该位被置为‘1’。软件可清除此位。
- 设置FLASH_CR的OPTPG位为1
- 写入要编程的半字到指定的地址
- 等待BSY位变为0
- 读出写入的地址并验证数据
选项字节擦除
- 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作
- 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
- 设置FLASH_CR的OPTER位为1
- 设置FLASH_CR的OPTER位为1
- 等待BSY位变为0
- 读出被擦除的选择字节并做验证

MyFlash.c：

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MyFlash.h：

Store.c：

用来在Flash内部储存数据

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Store.h：

main.c：

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电子签名存放在闪存存储器模块的系统存储区域，包含的芯片识别信息在出厂时编写，不可更改，使用指针读指定地址下的存储器可获取电子签名
闪存容量寄存器：
基地址：0x1FFF F7E0 大小：16位
产品唯一身份标识寄存器：
基地址： 0x1FFF F7E8 大小：96位

main.c：

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