光响应 R=I/Pin=PinhνηePin=ehνη 。对于光子型探测器，光响应是一个与光波长相关的量。
对于场效应管器件，光响应可能与沟道长度有关： R∝τlifetime/τtransit ，其中 τtransit=l2μVds 1
用电流响应度（A/W）或是用电压响应度(V/W)来衡量探测器？文章中没有同一解释。目前我采取的策略是，当测试时，给定恒压，测电流，电流会随光照变化，用电流。比如石墨烯量子点混合器件，沟道电阻很小（～1k）。给定1V电压，暗电流1mA，光电流1uA；如果偏置换位电流，给定恒流1mA，暗电压1V，光电压1mV。源表擅长测电流，电流档位很多。要求仪器去检测电压不是一个明智的选择，所以这种情况下，多采用电流响应率。
找一些例子，编成列表：
| material | Spectrum | R | measurement conditions | channel length | Ref |
|---|---|---|---|---|---|
| 8nm BP | 400-900(nm) | 4.3×106−5.6×104 | λ=633nm,Pin=0.5mW/cm2 | 100nm,1um | 1 |
参考文献：
1.Broadband Black-Phosphorus Photodetectors with High Responsivity[Supporting Information]. M.Huang ,et al. 2016. Advanced Material
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